行業(yè)巨頭研發(fā)閃存堆疊新技術(shù)，AI助力需求持續旺盛
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據科技媒體報道，SK海力士已經(jīng)開(kāi)始突破NAND閃存堆疊的限制，計劃2025年末完成400+層堆疊NAND的量產(chǎn)準備，2026年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)，作為連接兩個(gè)半導體晶圓的下一代封裝技術(shù)。
隨著(zhù)人工智能相關(guān)半導體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動(dòng)，NAND閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。存儲巨頭三星和SK海力士都在加緊努力，提升NAND產(chǎn)品的性能和容量。研究機構預計，2024年的DRAM內存、NAND閃存行業(yè)收入將分別大幅增加75%、77%。主流存儲產(chǎn)品漲價(jià)有望傳導至利基市場(chǎng)，當前MCU庫存去化有望逐步進(jìn)入尾聲，模擬芯片庫存已回歸正常水位，功率、碳化硅、代工廠(chǎng)、封測廠(chǎng)、AI服務(wù)器等都有持續向好跡象。
來(lái)源：金融界
標簽: NAND
