全球存儲市場(chǎng)在競爭什么？

近日，據韓媒《BusinessKorea》報導，三星電子在全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)別離持續*0年和20年連結第一的位置。

同時(shí)，各大廠(chǎng)商多年來(lái)廢寢忘食地逃求閃存更高層數和內存更先輩造程。業(yè)界擔憂(yōu)，三星主導地位將來(lái)將被擺蕩。在那之下，將來(lái)存儲器市場(chǎng)格局能否將發(fā)作改動(dòng)？

01、層數之爭火勢更旺

美光、SK海力士、三星等廠(chǎng)商不斷不竭地逃逐NAND閃存更高層數，在逾越100層后便起頭向200+層邁進(jìn)，以到達性能的進(jìn)步。

從去年的手藝成就來(lái)看，美光方面，2022年7月，美光全球首款2*2層NAND閃存在新加坡工場(chǎng)正式量產(chǎn)，而其時(shí)的三星正在苦研17*層NAND閃存。同年12月，美光勝利向PC OEM客戶(hù)出貨2*2層NAND客戶(hù)端SSD，該產(chǎn)物適用于支流條記本電腦和臺式機。

SK海力士方面，2022年8月，SK海力士勝利開(kāi)發(fā)出2*8層NAND閃存，那是目宿世界更高層數，該公司已向客戶(hù)發(fā)送2*8層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并方案在202*年上半年投入量產(chǎn)。

三星方面，跟著(zhù)業(yè)界不竭傳出閃存手藝的新動(dòng)態(tài)，三星也難免跟著(zhù)焦急，面臨各類(lèi)雜音，三星曾暗示將在2022年內發(fā)布2**層NAND閃存產(chǎn)物。為進(jìn)一步加大研發(fā)力度，三星還方案開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，該中心將負責開(kāi)發(fā)更先輩的NAND閃存產(chǎn)物。

末于在2022年11月，三星頒布發(fā)表量產(chǎn)2**層*D NAND閃存芯片，那是三星產(chǎn)物中具有更高存儲密度的1Tb（128GB）三比特單位（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在開(kāi)發(fā)中，并方案從2024年起頭量產(chǎn)第9代NAND閃存。

三星曾估計，到20*0年公司將打造出堆疊層數超1000層的V-NAND。而且為了實(shí)現那一目的，三星正在從當前的TLC架構過(guò)渡到四級單位（QLC）架構，以進(jìn)步密度和啟用更多層數。

而西數/鎧俠方面，西數于去年5月暗示，將來(lái)將與鎧俠推出200層以上（BiCS+）的閃存產(chǎn)物，20*2年之前還將陸續推出*00層以上、400層以上與500層以上的閃存手藝。不外目前西數和鎧俠暫無(wú)最新的動(dòng)靜。

從市場(chǎng)份額上看，據TrendForce集邦征詢(xún)2022年11月2*日研究顯示，截行2022年第三季度，在NAND閃存市場(chǎng)，三星的市場(chǎng)份額為*1.4%，排行第一；其次是鎧俠、20.*%；后面是SK海力士、18.5%，西部數據、12.*%，美光、12.*%。

固然看起來(lái)市場(chǎng)份額仍然差距較大，但在合作敵手的猛烈追逐下，三星三星不免感觸感染到壓力。

值得留意的是，西部數據近日頒布發(fā)表，將獲得由Apollo全球辦理公司牽頭的9億美圓投資。關(guān)于此次投資，有動(dòng)靜人士暗示，那是西部數據與日本Kioxia（鎧俠）合并的前兆。

假使鎧俠和西數合資方案最末確定，那或將對市場(chǎng)形成龐大的影響。

02、先輩造程競賽持續

DRAM是半導體存儲器的大宗產(chǎn)物之一，顛末幾十年的大浪淘沙，英特爾、東芝、松下、德州儀器、IBM、Motorola等曾經(jīng)的強者退出DRAM江湖，現在DRAM市場(chǎng)構成了鼎足之勢的格局，次要由三星、SK海力士、美光三大巨頭所指導。

據TrendForce集邦征詢(xún)2022年11月1*日研究顯示，截行2022年第三季度，在DRAM市場(chǎng)中，三星份額為40.7%，仍占據全球第一，SK海力士為28.8%，排位第二，美光為2*.4%，居第三。

在DRAM先輩造程競賽道上，存儲大廠(chǎng)為搶占手藝先機，也是一刻也不斷緩。

美光方面，2022年11月初，美光已經(jīng)將1β DRAM（第五代10nm級別DRAM）產(chǎn)物送往了客戶(hù)的產(chǎn)物驗證流水線(xiàn)，那也意味著(zhù)10納米級此外芯片工藝已經(jīng)來(lái)到了第五代。相較于1α（alpha），1β（beta）在1*G bit的容量下，能效進(jìn)步約15%、內存密度提拔*5%以上。

同年11月中旬，美光尖端存儲器1β DRAM在日本廣島量產(chǎn)。美光日本廣島工場(chǎng)不斷努力于尖端手藝產(chǎn)物DRAM的消費，目前，該廠(chǎng)投產(chǎn)造程次要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約*5%）。

美光DRAM造程已經(jīng)實(shí)現了1Xnm、1Ynm、1Znm、1α四個(gè)節點(diǎn)，并率先輩入了1β節點(diǎn)。據悉，美光正在對下一代1γ（gamma）工藝停止初步的研發(fā)設想。

三星方面，2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動(dòng)上公布DRAM手藝道路圖。按照道路圖，三星估計，202*年進(jìn)入1b nm工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產(chǎn)物，芯片容量將到達 24Gb（*GB）- *2Gb（4GB），原生速度將在*.4-7.2Gbp之間。

同年12月，三星開(kāi)發(fā)出首款接納12nm級工藝手藝打造的1*Gb DDR5 DRAM，并與AMD一路完成了兼容性方面的產(chǎn)物評估。

自此來(lái)看，業(yè)界暗示，10納米級此外DRAM造程顛末了依次為1X（1*nm-19nm）、1Y（（14nm-1*nm））、1Z（12nm-14nm）、1α（約1*nm），目前來(lái)到1β（10-12nm）、1γ（約10nm，1β的加強版）的節點(diǎn)。

對DRAM芯片來(lái)說(shuō)，跟著(zhù)晶體管尺寸越來(lái)越小，芯片上集中的晶體管就越多，也就是說(shuō)一片芯片能實(shí)現更高的內存容量。

而從產(chǎn)物價(jià)格上看，去年以來(lái)，DRAM價(jià)格持續下跌。據TrendForce集邦征詢(xún)1月9日研究指出，因為消費需求疲弱，存儲器賣(mài)方庫存壓力持續，僅三星（Samsung）在競價(jià)戰略下庫存略降。為制止DRAM產(chǎn)物再大幅貶價(jià)，諸如美光（Micron）等多家供給商已起頭積極減產(chǎn)，預估202*年第一季DRAM價(jià)格跌幅可因而收斂至1*~18%，但仍不見(jiàn)下行周期的起點(diǎn)。

DRAM產(chǎn)物可普遍應用于手機、辦事器、PC等下流范疇，近年來(lái)，消費末端需求不振，DRAM市場(chǎng)持續蕭條。面臨將來(lái)，內存廠(chǎng)商唯有持續研發(fā)推出1β、1γ...或更先輩造程的DRAM產(chǎn)物，擁有高新手藝，才氣在順境中站穩每一步腳跟。

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