硅太陽(yáng)能電池的絲網(wǎng)印刷技術(shù)的簡(jiǎn)單介紹

1、太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測表面制絨擴散制結去磷硅玻璃等離子刻蝕鍍減反射膜絲網(wǎng)印刷快速燒結等具體介紹如下 一硅片檢測 硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池。

2、目前晶體硅電池絲網(wǎng)印刷最常見(jiàn)的流程是背銀印刷，背銀烘干，背鋁印刷，背鋁烘烘干，正銀銀刷，燒結刻蝕機試做蝕刻的跟印刷有毛關(guān)系，搞笑。

* 、前景不錯，現在太陽(yáng)能電池應用越來(lái)越廣，我國已是全球生產(chǎn)第一大國，且目前太陽(yáng)能電池生產(chǎn)大部分是采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，技術(shù)相對比較成熟了未來(lái)幾年內，我國將大力開(kāi)展新能源的應用，太陽(yáng)能發(fā)電市場(chǎng)將會(huì )在國內迅速發(fā)展，其生產(chǎn)。

* 、擴展太陽(yáng)能是一種清潔的可再生能源，以光伏效應為基礎的太陽(yáng)電池有著(zhù)美好的應用前景，其中，絲網(wǎng)印刷太陽(yáng)電池的制作工藝在高效，低成本太陽(yáng)電池的研究和生產(chǎn)中有著(zhù)重要的地位絲網(wǎng)印刷技術(shù)從本上世紀70年代開(kāi)始產(chǎn)生并發(fā)展。

* 、目前量產(chǎn)的薄膜電池以非晶為主，是氣相沉積工藝，電池的串聯(lián)結構是靠激光刻劃完成的，不會(huì )用到絲網(wǎng)印刷還是晶體硅電池的生產(chǎn)會(huì )用的，多晶硅和單晶硅。

* 、Rs偏高時(shí)絲網(wǎng)印刷處理流程 在目今條件下，當Rs串聯(lián)電阻與正常水平相比突然變大時(shí)，由于絲網(wǎng)印刷工序影響導致的可能性占有* 0%左右，且對絲網(wǎng)印刷的控制是最簡(jiǎn)便易行，最立竿見(jiàn)影的措施主要可以查以下幾個(gè)方面11號。

7、利用刮條擠壓絲網(wǎng)使絲網(wǎng)產(chǎn)生彈性形變，使漿料漏印到硅片上。

*、但掩膜層一般要在較高的溫度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特別對質(zhì)量較低的多晶材料，少子壽命縮短應用該工藝在22* cm2的多晶硅上所作電池的轉換效率達到1* * %掩膜層也可用絲網(wǎng)印刷的方法形成。

9、柵線(xiàn)的主要材料是銀，銀是非常好的導體，當然可以把電流導出來(lái)了因為太陽(yáng)能電池是需要陽(yáng)光照射的，若柵線(xiàn)布滿(mǎn)了電池片，可以想到的是電池沒(méi)有接觸陽(yáng)光的區域了而銀是導體，本身不產(chǎn)生電流，只有pn結的硅基材接收到陽(yáng)光才。

10、利用機械刻槽絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過(guò)17％，無(wú)機械刻槽在同樣面積上效率達到1* ％，采用埋柵結構，機械刻槽在1* 0平方厘米的多晶上電池效率達到1* *％ 1單晶硅太陽(yáng)能電池 目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電。

11、采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到* 0微米，高度達到1* 微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉換效率超過(guò)1* ％。

12、然而，該電池結構需要嚴格的對準工藝實(shí)現金屬柵線(xiàn)與選擇性發(fā)射極的電接觸中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所萬(wàn)青研究組提出了一種交叉自對準工藝，采用普通絲網(wǎng)印刷設備研制了高效率的晶體硅太陽(yáng)能電池常規晶硅電池工藝在經(jīng)過(guò)高溫。

1* 、單晶硅太陽(yáng)能電池的背場(chǎng)技術(shù) 單晶硅太陽(yáng)電池鋁背場(chǎng)的歐姆接觸影響其輸出特性，采用新的工藝技術(shù)降低電池的串聯(lián)電阻勢在必行隨著(zhù)電池襯底厚度變得越來(lái)越薄，傳統的絲網(wǎng)印刷工藝使鋁背場(chǎng)難以繼續發(fā)揮其優(yōu)勢，探索硅片特征參量與。

1* 、加工太陽(yáng)電池片，首先要在硅片上摻雜和擴散，一般摻雜物為微量的硼磷銻等擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進(jìn)行這樣就在硅片上形成PFONTN結然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線(xiàn)，經(jīng)過(guò)燒結。

1* 、因此，必須對太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應氣體CF* 的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體等離子體是由帶電的。