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賽道Hyper | 三星逆勢增資:拿下蘋(píng)果中國閃存供應

男兒心中的夢(mèng)2年前 (2022-10-24)百科34
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在業(yè)界頻傳NAND閃存價(jià)格迅猛下滑之際,做為市占率近**%的全球更大閃存供給商三星電子,卻仍在逆勢增加投資,并官宣其閃存產(chǎn)物將漲價(jià)*0%。目前,那一漲價(jià)幅度,已為中國部門(mén)廠(chǎng)商承受。

*月*2日,華爾街見(jiàn)聞得悉,三星電子在西安的一個(gè)三期NAND閃存項目,進(jìn)入了蘋(píng)果智妙手機NAND閃存供給鏈。此前,三星電子已是蘋(píng)果公司更大的DRAM芯片供給商。

但是,提價(jià)*0%很可能并不是三星電子的次要訴求。從各類(lèi)?ài)E象看,三星將于年內開(kāi)啟其閃存大幅降價(jià)的大幕。從逆勢增資擴產(chǎn),到大幅降價(jià),個(gè)中原因,不言而喻。

逆勢增資:三星心路人知

受低迷的存儲芯片市場(chǎng)影響,三星電子利潤遭到?jīng)_擊,但三星電子半導體投資擴產(chǎn)卻沒(méi)有停滯。

全球存儲器市場(chǎng)構造如何?

據英國市場(chǎng)逃蹤機構Omdia統計數據顯示,截至202*年,三星在DRAM市場(chǎng)份額為*2.7%,其次是SK海力士的28.*%和美光的22.8%;NAND閃存方面,截至2022年Q2,三星電子擁有**.9%的市場(chǎng)份額,位列全球第一;通過(guò)收買(mǎi)Intel NAND Flash閃存營(yíng)業(yè),SK海力士組建了新公司Solidigm,市場(chǎng)份額升至*9.9%,緊隨三星電子之后排名第二。

值得一提的是,三星電子在NADA閃存市場(chǎng)獲得全球第一的市場(chǎng)地位,源自由200*-2009年一系列NADA閃存詭譎風(fēng)云中三星的逆勢增資擴張。

那是一次極為勝利的逆勢“加倉”之后的驚人逆襲。三星電子在行業(yè)低迷期擴大投資規模,最末擊敗其時(shí)市場(chǎng)份額領(lǐng)先于三星電子的敵手,好比德國奇夢(mèng)達、日本“國度隊”爾必達和東芝。

此次勝利經(jīng)歷,充實(shí)解釋了三星電子再次碰到行業(yè)低迷期,為何仍勇于逆勢增資擴產(chǎn)的自信心迷局。

2022年,半導體行業(yè)進(jìn)入下行周期,存儲市場(chǎng)占據半導體約*0%的比例,故遭到較大行業(yè)下行影響:包羅三星電子、美光和SK海力士在內的多家存儲廠(chǎng)商均呈現吃虧。

因而,行業(yè)氣概守舊,一寡巨頭也起頭收縮營(yíng)業(yè)。好比美光方案將202*財年投資額,從2022財年的*20億美圓,下調至70億-7*億美圓;同時(shí),還將大幅削減202*財年的本錢(qián)收入;SK海力士也在2022年*0月頒布發(fā)表,202*年的設備投資預算幅度,將比2022年削減超越*0%。

但是三星破例,其投資氣概極為激進(jìn),那與美光和SK海力士因市場(chǎng)低迷而收縮營(yíng)業(yè)規模的做法,顯得非分特別不同凡響。

公開(kāi)動(dòng)靜顯示,三星電子已決定,在202*年提拔其存儲器和晶圓廠(chǎng)*0%的產(chǎn)能。那些產(chǎn)能也有部門(mén)來(lái)自中國的三星新投資項目。

*月*2日,華爾街見(jiàn)聞從供給鏈了解到,三星西安三期項目*2寸(*00mm)晶圓廠(chǎng)將于2月中旬開(kāi)工。那個(gè)項目本來(lái)定于2022年*2月啟動(dòng),但受表里多種因素影響,故而有所延期。

三星電子西安三期項目總投資高達*000億元人民幣。目前,那個(gè)工場(chǎng)的定位是三星電子NAND閃存半導體的消費基地,與前兩期項目標產(chǎn)能合并后,將占據三星電子NAND全球總產(chǎn)能的*0%。前兩期項目已達產(chǎn),每月消費*2英寸晶圓量達2*萬(wàn)張,年營(yíng)收高達*000億元人民幣。

與臺積電或英特爾均已做出的減產(chǎn)方案比擬,三星電子同樣屬于逆勢“加倉”。此舉申明三星電子野心極大,既想稱(chēng)霸存儲器市場(chǎng),也想在晶圓代工范疇反超臺積電。

除了中國項目,三星電子將對在韓國京畿道平澤市第一工場(chǎng)(P*)的NAND閃存設備做晉級。

P*的NAND線(xiàn)估計將革新為V8(2*8層)NAND量產(chǎn)線(xiàn),可加工約*萬(wàn)張晶圓。此前,有動(dòng)靜稱(chēng),三星電子可能會(huì )在202*年下半年,投資已完成外拆工程的平澤*號廠(chǎng)房(P*)一期工程新的NAND消費線(xiàn)。

據中國臺灣市場(chǎng)研究公司Trend Force的統計數據,截至2022歲尾,三星電子NAND晶圓月產(chǎn)量約為**.*萬(wàn)張。就半導體投資而言,三星電子決定在所有范疇都連結202*年的程度。

另?yè)袌?chǎng)研究公司Omdia的數據顯示,NAND市場(chǎng)價(jià)值約為***億美圓。鑒于此等規模的市場(chǎng)前景,三星或許想通過(guò)增加NAND產(chǎn)能,以擠壓或吞并規模較小的行業(yè)企業(yè)。目前,在NAND范疇,仍有*-7家企業(yè)在爭奪全球范疇內的市場(chǎng)份額。

手段:提價(jià)、擴產(chǎn)、降價(jià)

*月*日,那家韓國市值更高的公司對外暗示,2022年*0月-*2月季度營(yíng)業(yè)利潤可能同比下降 *9%,低于市場(chǎng)預期的*8%降幅,創(chuàng )下2008年同季度以來(lái)的更大降幅紀錄。

與2022年三季度比擬,用于智妙手機和其他設備的NAND閃存基準在2022年四時(shí)度期間,跌幅到達**%。

能夠說(shuō),三星電子面對行業(yè)低迷和公司業(yè)績(jì)下滑的雙重壓力,卻仍在逆勢增資擴產(chǎn)。那家公司暗示,將繼續從中持久的角度為市場(chǎng)蘇醒做籌辦。

由上文可知,三星對逆勢投資有過(guò)勝利經(jīng)歷。多年來(lái),三星常常在行業(yè)不景氣期間做巨額投資,以鄙人一個(gè)繁榮期間擊敗合作敵手,從而引領(lǐng)全球內存市場(chǎng)。

俗話(huà)說(shuō),手中有糧,心中才氣不慌。

三星勇于逆勢大舉增資,底氣來(lái)自其擁有的規模龐大的現金儲蓄。截至2022年9月底,三星持有約*28.8萬(wàn)億韓元(約合*0*0億美圓)現金,約是其合作敵手SK海力士或美光的*0倍。

韓國政府也很給力。韓國在202*年*月*日頒布發(fā)表,方案將半導體和電池等戰略手藝本錢(qián)收入的稅收減免,從8%擴大到**%,接近翻倍。

除了想靠手藝實(shí)力、產(chǎn)能規模壓造敵手,復造200*-2009年的那次勝利逆襲,還有個(gè)重要原因,即三星電子已勝利進(jìn)入蘋(píng)果NAND閃存供給鏈。此事得益于中國本土一家NAND閃存巨頭碰到的寡所周知的手藝限造。

那家中國公司在遭遇手藝約束后,三星電子成為了蘋(píng)果公司在中國的NAND存儲芯片替代供給商。華爾街見(jiàn)聞得悉,三星電子位于西安的NAND閃存工場(chǎng)將為蘋(píng)果供給NAND閃存。目前,那個(gè)工場(chǎng)的三期工程將于2月開(kāi)工。

值得一提的是,不久前,三星電子官宣其閃存產(chǎn)物將提價(jià)*0%,而部門(mén)中國公司已承受那一報價(jià)。

但是,據公開(kāi)報導顯示,三星電子可能會(huì )于202*年開(kāi)啟包羅NAND閃存在內的大幅降價(jià),以進(jìn)一步進(jìn)步在全球存儲芯片市場(chǎng)的份額。

對NAND手藝、產(chǎn)能和價(jià)格三者之間關(guān)系的理解,也能從另一個(gè)角度解釋三星電子為何逆勢增資的企圖。

在NAND范疇,NAND造造商做的劇烈手藝比賽,集中在增加垂曲層數方面。SK海力士和美光都已推出200多層的NAND手藝,但三星認為,“重要的不是層數,而是產(chǎn)能以及專(zhuān)注于供給具有價(jià)格合作力的更優(yōu)處理計劃”。

說(shuō)是那么說(shuō),但三星并沒(méi)有放松NAND的手藝迭代,其手藝程度也極為崇高高貴。

目前,三星電子消費的第八代V-NAND高達2*0層;第9代V-NAND也已在研發(fā)過(guò)程中,估計202*年量產(chǎn)。20*0年,三星將推出高達*000層的V-NAND產(chǎn)物。

鑒于DRAM的關(guān)于消費電子級的重要性,三星也在重兵規劃那個(gè)標的目的。

為推進(jìn)*0nm范疇以外的微縮,三星電子正在開(kāi)發(fā)圖案、質(zhì)料和架構方面做持續打破。

2022歲尾,三星官方透露,其即將推出的DRAM處理計劃包羅*2Gb DDR* DRAM、8.*Gbps LPDDR*X DRAM和**Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定造DRAM處理計劃。此外,三星方案到20*0年實(shí)現亞納米DRAM。

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