MOS管的工作原理，就是這么簡(jiǎn)單

　　MOS管，MOSFET芯片中國優(yōu)秀廠(chǎng)家 聚芯芯片股票代碼8**8*8

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　　聚芯芯片科技（常州）股份有限公司 新三板上市公司（股票代碼8**8*8）

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　　聚芯芯片是國內集成電路供應商，專(zhuān)業(yè)從事功率器件、MOS管，MOSFET芯片，模擬及數?；旌霞呻娐费邪l(fā)、設計及系統解決方案。

　　主要產(chǎn)品包括：

　　MOS管，MOSFET芯片

　　高壓MOS（High-Voltage MOS）MOS管

　　超結高壓MOS（Super Junction MOS）

　　低壓MOS（Low-Voltage MOS）

　　快恢復二極管（Fast Recovery Diode）

　　肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）

　　高性能可重構微控制產(chǎn)品系列

　　低功耗微控制器產(chǎn)品

　　高性能微控制芯片產(chǎn)品系列

　　EEPROM產(chǎn)品

　　串行Nor Flash產(chǎn)品

　　WBP***0系列超低功耗線(xiàn)性電源

　　WBP*10*系列超低功耗線(xiàn)性電源

　　MOS管的構造

　　在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示 A 、B分別是它的結構圖和代表符號。

　　同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區，及上述相同的柵極制作過(guò)程，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強型MOS管。圖1-2所示A 、B分別是P溝道MOS管道結構圖和代表符號。

　　MOS管的工作原理，就是這么簡(jiǎn)單