晶豐明源BP83223芯片如何簡(jiǎn)化電源設計并提升性能?

前言

在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度相對較大，而且成本也比較高。

為了實(shí)現更高的功率密度并降低外圍器件數量，目前已有眾多電源芯片廠(chǎng)商著(zhù)手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線(xiàn)。這些芯片能夠將氮化鎵功率器件、PWM控制、驅動(dòng)、保護等功能整合在一顆芯片上，一顆芯片即可實(shí)現原有數顆芯片的功能，不僅能夠提升整體方案的性能，還有助于減少PCB板的占用空間、縮小產(chǎn)品尺寸，并削減物料成本。合封氮化鎵芯片的應用范圍廣泛，包括電子設備、通信設備、電動(dòng)汽車(chē)充電器、工業(yè)電源以及可再生能源系統等。這些芯片不僅可以提供高效的電源轉換，還常常包括多種保護功能以確保電源系統的安全性和可靠性。

充電頭網(wǎng)從最近的拆解中發(fā)現了晶豐明源推出的一款內部集成650V耐壓，115mΩ導阻增強型氮化鎵開(kāi)關(guān)管的主動(dòng)式PFC芯片BP83223，只需少量的外圍器件即可實(shí)現高精度恒壓輸出、高功率因素和低電流諧波。

BP83223氮化鎵合封芯片

晶豐明源BP83223，是一顆內部集成650V耐壓，115mΩ導阻增強型氮化鎵開(kāi)關(guān)管的主動(dòng)式PFC芯片，采用單級結構，可有效芯片PFC電感和高壓濾波電容，減小體積降低成本，內部集成高壓?jiǎn)?dòng)和輸入電壓采樣電路，具備增強的PF控制算法，只需要很少的外圍器件就可以實(shí)現高精度恒壓輸出、高功率因數和低電流諧波。

BP83223輸出功率最高可達100W，待機功耗極低，在230V電壓下待機功耗小于100mW，具有優(yōu)異的線(xiàn)性調整率和負載調整率，并且內置了動(dòng)態(tài)加速模塊，能有效地改善系統對負載的響應速度，提供穩定的輸出電壓性能。

BP83223 采用 Ton 時(shí)間控制機制，內置了 PF 增強控制算法，可輕松滿(mǎn)足輕載下的新 ErP 分次電流諧波標準。準諧振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底開(kāi)通功率管，可實(shí)現更高的效率和較優(yōu)的 EMI 性能。

BP83223 采用了頻率折返控制技術(shù)，系統在較大負載時(shí)工作于 BCM 模式，隨著(zhù)負載減小進(jìn)入 DCM 模式，同時(shí)降低開(kāi)關(guān)頻率，有利于提高輕載效率。BP83223 內置多種保護，包括逐周期限流、輸出短路保護、輸出過(guò)壓保護、次級整流管短路保護、過(guò)載保護、VCC 過(guò)壓/欠壓保護、輸入欠壓保護、以及過(guò)溫保護等。BP83223 采用 ESOP-10 封裝，具備較好的散熱性能。

充電頭網(wǎng)總結

晶豐明源BP83223通過(guò)集成650V高壓GaN功率管、PWM控制、驅動(dòng)和多種保護功能，有效簡(jiǎn)化了電路設計，減少了外圍器件需求，提升了功率密度，同時(shí)降低了成本和尺寸，Ton時(shí)間控制和頻率折返技術(shù)保證了在不同負載條件下的高效率和優(yōu)越的EMI性能，實(shí)現了高效率、高性能和高可靠性的電源解決方案。