AI賽道，半導體存儲廠(chǎng)商“各顯神通

當前，在半導體存儲芯片領(lǐng)域，人工智能AI已經(jīng)成為各大廠(chǎng)商業(yè)績(jì)增長(cháng)的重要推手之一。

當地時(shí)間7月5日，韓國半導體廠(chǎng)商三星電子公布第二季度初步財報。數據顯示，三星電子上季營(yíng)業(yè)獲利大幅增長(cháng)，遠超市場(chǎng)預期。

依據K-IFRS的綜合收益估計，三星電子預計，其二季度合并營(yíng)收為74萬(wàn)億韓元，較去年同期增長(cháng)23%，營(yíng)業(yè)利潤將達10.4萬(wàn)億韓元，較去年同期的6700億韓元激增近15倍，大幅超越市場(chǎng)預期的8.8萬(wàn)億韓元。

圖源：三星官網(wǎng)

盡管各部門(mén)的具體收益細節，三星將在本月稍后公布，但業(yè)界認為，三星電子營(yíng)業(yè)利潤大幅增長(cháng)，主要是得益于全球半導體市場(chǎng)的回暖，尤其是受到數據中心和人工智能AI熱潮推動(dòng)，促使存儲芯片需求加快復蘇，并帶動(dòng)價(jià)格回升。

HBM推動(dòng)，存儲廠(chǎng)商業(yè)績(jì)水漲船高

事實(shí)上，HBM市場(chǎng)競爭主要集中在SK海力士、三星和美光三大廠(chǎng)商中，而在A(yíng)I浪潮推動(dòng)下，上述廠(chǎng)商的業(yè)績(jì)也水漲船高。

三星方面，拋開(kāi)尚未完全公布的第二季度初步財報，回溯一季度業(yè)績(jì)，三星電子在當季實(shí)現營(yíng)收71.92萬(wàn)億韓元，同比增長(cháng)13%，營(yíng)業(yè)利潤6.61萬(wàn)億韓元，同比猛增931.87%。從部門(mén)營(yíng)收來(lái)看，負責半導體業(yè)務(wù)的設備解決方案（DS）部門(mén)營(yíng)收為23.14萬(wàn)億韓元，同比增長(cháng)68%，其中存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，漲幅高達96%。

三星電子在財報中表示，預計今年下半年芯片需求將保持強勁，這在很大程度上是因為各行各業(yè)對生成式人工智能的需求。

美光方面，其當地時(shí)間6月26日公布的最新一季財報顯示，3-5月，其實(shí)現營(yíng)收68.11億美元，環(huán)比增長(cháng)17%，同比增長(cháng)81.5%；凈利潤7.02億美元，環(huán)比增長(cháng)47%，其中，DRAM營(yíng)收約47億美元，環(huán)比增長(cháng)13%。美光預計，2024財年將從HBM中獲得數億美元收入，到2025財年這一數字將達到數十億美元。

至于SK海力士，其在4月底公布截至3月31日的2024財年第一季度財報顯示，其當季營(yíng)收創(chuàng )歷史同期新高，達12.4296萬(wàn)億韓元，同比增長(cháng)144%，環(huán)比增長(cháng)10%，營(yíng)業(yè)利潤2.886萬(wàn)億韓元，同比扭虧為盈，環(huán)比大幅增長(cháng)734%，凈利潤為1.917萬(wàn)億韓元，同比和環(huán)比均實(shí)現扭虧為盈。

SK海力士表示，公司當季營(yíng)業(yè)利潤環(huán)比增長(cháng)734%，主要是憑借HBM等面向AI的存儲器技術(shù)領(lǐng)導力，公司提升了面向AI服務(wù)器的產(chǎn)品銷(xiāo)量，同時(shí)持續實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)。

搶奪HBM產(chǎn)能，廠(chǎng)商“各顯神通”

為應對AI人工智能帶來(lái)的HBM存儲器需求不斷增長(cháng)這一趨勢，SK海力士、三星、美光三大廠(chǎng)商無(wú)論在產(chǎn)品研發(fā)、出貨以及產(chǎn)能擴充等方面都開(kāi)始摩拳擦掌，各顯神通。

其中，SK海力士已決定加大于今年3月開(kāi)始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應，并拓展其產(chǎn)品的客戶(hù)群。同時(shí)，為進(jìn)一步擴大產(chǎn)能，SK還計劃將韓國清州的M15X廠(chǎng)定為DRAM生產(chǎn)基地并加速建設，并且順利推進(jìn)龍仁半導體集群和美國印第安納州先進(jìn)封裝工廠(chǎng)等中長(cháng)期投資項目。

此外，SK海力士還計劃在2028年前投資103萬(wàn)億韓元發(fā)展芯片業(yè)務(wù)，其中到2026年將確保80萬(wàn)億韓元的資金，將用于投資高帶寬內存芯片（HBM），以及為股東回報提供資金，并對超過(guò)175家的子公司進(jìn)行精簡(jiǎn)。

三星方面，近期有消息稱(chēng)，三星電子新設了一個(gè)HBM芯片開(kāi)發(fā)團隊。據韓聯(lián)社近日報道，為奪回人工智能（AI）半導體市場(chǎng)的主導權，三星電子新設立了一個(gè)專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)高帶寬存儲器（HBM）的團隊。

報道稱(chēng)，新團隊由三星電子副總裁、高性能DRAM設計專(zhuān)家Sohn Young-soo負責領(lǐng)導，將專(zhuān)注于下一代HBM4產(chǎn)品以及HBM3和HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)。此外，為鞏固地位，三星電子還重組了先進(jìn)封裝團隊和設備技術(shù)實(shí)驗室，以提高整體技術(shù)競爭力。

至于美光，其正在全球多個(gè)生產(chǎn)基地擴建（或計劃擴建）HBM產(chǎn)線(xiàn)，目標是在2025年將全球HBM市場(chǎng)份額擴大至20%-25%。

HBM比重提升，預估Q3 DRAM價(jià)格將續漲8~13%

從三星、SK海力士、以及美光三大廠(chǎng)商的新廠(chǎng)規劃來(lái)看，三星現有廠(chǎng)房2024年底產(chǎn)能大致滿(mǎn)載，新廠(chǎng)房P4L規劃于2025年完工，同時(shí)Line15廠(chǎng)區將進(jìn)行制程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預計擴大，M15X同樣亦規劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。美光臺灣地區廠(chǎng)區將于明年恢復至滿(mǎn)載，后續產(chǎn)能擴張將以美國廠(chǎng)為主，Boise廠(chǎng)區預期于2025年完工并陸續移機，并計劃于2026年量產(chǎn)。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)在5月21日發(fā)布的研報中表示，盡管三大原廠(chǎng)的新廠(chǎng)將于2025年完工，但部分廠(chǎng)房后續的量產(chǎn)時(shí)程尚未有明確規劃，需依賴(lài)2024年的獲利，才得以持續擴大采購機臺，這也進(jìn)一步推動(dòng)三大原廠(chǎng)堅守存儲器價(jià)格今年漲勢。

進(jìn)入第三季，集邦咨詢(xún)6月底發(fā)布的最新研報認為，由于通用型服務(wù)器(General Server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，預計第三季DRAM均價(jià)將持續上揚，DRAM價(jià)格漲幅達8~13%。

本文作者：劉靜，來(lái)源：全球半導體觀(guān)察，原文標題：《AI賽道，半導體存儲廠(chǎng)商“各顯神通”》

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